公司長期堅持自主創新，培養和鍛煉了一支學術水平高、經驗豐富、具有國際視野的半導體技術團隊。以中國工程院院士丁榮軍為學術帶頭人，在新型功率半導體器件的設計、工藝、質量、應用等方面培養了一批具備行業領軍能力的科研人員，專業技術人才已經達到500余人，其中博士近40人。

目前，公司建設有新型功率半導體器件仿真設計平臺，借助先進的仿真平臺并結合測試分析，深入開展器件結構和相關基礎理論研究。公司掌握了增強型軟穿通（SPT+）IGBT、溝槽柵（Trench）IGBT、SiCSBD、SiCMOSFET、6英寸晶閘管、IGCT關鍵工藝技術，建設了涵蓋IGBT、IGCT、高壓大電流晶閘管的全流程工藝能力，構建了SiC中試平臺。

公司與中科院微電子所建立了聯合研發中心，在英國成立了海外半導體研發中心，借助研發中心平臺，緊密追蹤國際最新技術發展動態，與多家高校、科研院所開展深度技術合作。公司成功獲批為新型功率半導體器件國家重點實驗室、國家能源大功率電力電子器件研發中心，牽頭成立中國IGBT技術創新與產業聯盟，并任聯盟理事長單位。

依托接軌國際頂尖水平的技術創新平臺，截止目前，公司在功率半導體器件領域，共承擔國家、省部級及橫向項目共30余項，累計獲國撥科研經費4億元；獲國家科技進步獎、湖南省科技發明獎、中國電子學會科技進步獎、中國電工技術學會科學技術獎等國家、省部級獎5項；申請發明專利114項，其中授權專利26項；在國內外核心學術期刊及會議上發表了47篇學術論文，取得了豐碩的科技成果。