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              發展歷程
              2018

              湖南省功率半導體器件創新中心掛牌

              SiC SBD量產

              2017

              IGBT進入汽車領域

              SiC產線完成調試并試運行

              2016

              自主1700V IGBT中標印度機車市場,中國"自主芯"首次出口海外

              中標酒泉-湖南、上海廟-山東、淮東-淮南、巴西美麗山等多個(特)高壓直流輸電項目

              2015

              自主1500A/3300V IGBT在廈門柔性直流輸電科技示范工程成功掛網應用

              新型功率半導體器件國家重點實驗室獲準建設

              2014

              IGBT產業化基地建成投產,實現IGBT芯片國產化

              國家能源大功率電力電子器件研發中心通過專業評審

              牽頭成立中國IGBT技術創新與產業聯盟

              2013

              8英寸IGBT產業化基地調試運行

              2012

              中標哈密-鄭州特高壓直流輸電(UHVDC)項目

              2011

              SiC電力電子器件集成制造技術研發與產業化獲國家億元資金支持

              2010

              在英國成立功率半導體海外研發中心

              自主IGBT產品進入地鐵和機車牽引傳動市場

              2009

              6英寸器件生產線、國內首條高壓IGBT模塊封裝線建成投產

              2008

              并購丹尼克斯(Dynex)電力電子股份有限公司

              6英寸器件進入高壓直流輸電(HVDC)市場(河南靈寶)

              2007

              5英寸器件進入高壓直流輸電(HVDC)市場(遼寧高嶺)

              2006

              成功研制出世界上第一只6英寸8500V商用HVDC晶閘管

              2005

              5英寸器件生產線建成

              機車領域全面采用5英寸器件

              2002

              4英寸全壓接器件全面推向電解鋁領域

              2000

              全壓接器件批量推向市場

              建成4英寸全壓接生產線

              1999

              產品開始批量出口美國

              1989

              建成3英寸器件生產線

              1985

              引進美國西屋公司燒結工藝技術

              1968

              開發出300/500A硅二極管,"硅改"成功

              1964

              開始研發大功率半導體器件技術

              備注:①硅改:在電力機車變流中,用硅整流代替汞引燃整流器,俗稱“硅改”。

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